Toshiba membuat terobosan anyar melalui memori jenis baru yang bernama Magnetoresistive Random Access memory (MRAM). Disinyalir memori jenis baru yang berkapasitas 1GB ini bakal menggantikan posisi Dynamic Random Access Memory (DRAM) yang sudah bertahan cukup lama.
Melalui produk terbarunya, Tim Toshiba sebenarnya berambisi untuk melenyapkan kekurangan yang ada pada DRAM. Toshiba merancang MRAM untuk mencapai target yang belum dapat dicapai hingga saat ini. Kekurangan tersebut berupa Instant Boot dan Kemampuan penyimpanan data yang tidak hilang meskipun daya dimatikan (non volatile).
Menurut Toshiba, riset mereka dalam mengembangkan magnetoresistive random-access memory (MRAM) telah membuahkan hasil berupa chip MRAM 1 gigabit yang hampir siap pakai untuk menggantikan DRAM saat ini. Selain menginginkan RAM generasi baru ini untuk berkinerja lebih cepat, mereka juga menginginkan dua hal yang belum tercapai hingga saat ini:
- Instant Boot
- Penyimpanan data tidak hilang saat dimatikan (non volatile)
Penyimpanan data permanen di RAM dapat menghemat daya secara drastis karena RAM dapat tetap menyimpan data tanpa harus mengambil daya secara konstan dari sumber listrik. Menurut estimasi Toshiba, MRAM hanya akan menggunakan daya 10% dari yang digunakan DRAM hari ini.


0 komentar
Posting Komentar